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    • 专利摘要:
    本發明提供一種單片式基板處理之液體處理裝置及液體處理方法，可避免液體附著在與基板洗淨面相反側的面。為達成上述課題，本發明之液體處理裝置具有：旋轉板，藉由旋轉驅動部而旋轉；基板支持部，沿著前述旋轉板之周緣設置，支持基板的周緣；導引部，設於前述基板支持部的上端，將前述基板導引至前述基板支持部；以及供給部，對於由前述基板支持部支持前述周緣之前述基板，從上方供給液體；前述導引部，沿著前述旋轉板的周向至少設置3個以上，且相較於藉由前述基板支持部支持前述周緣之前述基板的表面，具有更高的高度。
    公开号:TW201324654A
    申请号:TW101129731
    申请日:2012-08-16
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Nobuhiko Mouri；Shoichiro Hidaka
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    液體處理裝置及液體處理裝置之控制方法
    本發明係有關於以液體處理半導體晶圓或平面顯示器用玻璃基板等基板的液體處理裝置、及液體處理裝置之控制方法。
    於製造半導體積體電路及平面顯示器之製程，會對基板進行使用液體之液體處理。為了進行此種處理，有時會使用單片式基板處理之液體處理裝置，其具有：基板保持部，保持基板之外周部並加以旋轉；液體供給部，對基板保持部所保持之基板供給液體；杯體部，承接供給至基板且因基板之旋轉而飛散之液體。
    [習知技術文獻]
    [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開2010-93190號公報
    [專利文獻2]日本特開平10-209254號公報
    然而，對於降低製造成本的期待日益殷切，同時，對於在上述液體處理裝置所進行之基板的液體處理中，減少附著至基板的異物(particles)之要求也越來越高。習知技術中，於半導體晶圓(以下，僅稱作晶圓)，從晶圓之周緣起例如約5mm寬度之區域，比其更內側之處形成有半導體元件(晶片)；但為得到更多晶片，其寬度逐漸減少到例如約2mm。因此，就連在晶圓邊緣附近，也產生減少異物之必要性。
    就晶圓邊緣附近產生異物之原因而言，可列舉：供給至晶圓之液體，附著於液體所供給之面(電路形成面)之相反側的面、或是包含於液體之異物殘留在相反側的面(與電路形成面相反側的面)。如此所產生之異物，雖可藉由洗淨相反側的面來減少，但會造成工序數量增加，進而導致製造成本增加，故非上策。又，於洗淨相反側的面(與電路形成面相反側的面)時，此時所使用之液體有可能附著至頂面(電路形成面)，這麼一來有可能又會需要再度進行頂面之洗淨。因此，需要在單片式基板處理之液體處理裝置，減少液體附著至相反側的面之情形發生。
    本發明，係有鑑於上述背景所研發，而提供一種單片式基板處理之液體處理裝置及液體處理方法，其可避免液體附著在與洗淨面相反側的面上。
    若根據本發明之第1態樣，提供一種液體處理裝置，包括：旋轉板，藉由旋轉驅動部而旋轉；基板支持部，沿著該旋轉板之周緣設置，支持基板的周緣；導引部，設於該基板支持部的上端，將該基板導引至該基板支持部；以及供給部，對於由該基板支持部支持該周緣之該基板，從上方供給液體；該導引部，沿著該旋轉板的周向至少設置3個以上，且相較於藉由該基板支持部支持該周緣之該基板的表面，具有更高的高度。
    若根據本發明之第2態樣，提供一種液體處理裝置之控制方法，控制一種液體處理裝置，該液體處理裝置包括：旋轉板，藉由旋轉驅動部而旋轉；基板支持部，沿著該旋轉板之周緣設置，支持基板的周緣；導引部，設於該基板支持部的上端，將該基板導引至該基板支持部；以及供給部，對於由該基板支持部支持該周緣之該基板，從上方供給液體；該導引部，沿著該旋轉板的周向至少設置3個以上，且相較於藉由該基板支持部支持該周緣之該基板的表面，具有更高的高度。該控制方法，包含：一邊以該導引部導引該基板，一邊藉由以該基板支持部之該傾斜面支持該基板之周緣，使該基板支持部支持該基板之步驟；旋轉該基板之步驟；以及對該基板供給液體之步驟。
    根據本發明之實施形態，提供一種單片式基板處理之液體處理裝置、及液體處理方法，可以避免液體附著於與基板洗淨面相反側的面。
    1‧‧‧液體處理裝置
    11‧‧‧搬送機構
    11a‧‧‧保持臂部
    12‧‧‧導軌
    13‧‧‧載置台
    14‧‧‧搬送機構
    14a‧‧‧保持臂部、搬送臂部
    15‧‧‧導軌
    16‧‧‧搬送室
    16a‧‧‧反轉機構
    17‧‧‧控制部
    21‧‧‧殼體
    21a‧‧‧搬送口
    22‧‧‧杯體部
    23‧‧‧晶圓保持旋轉部
    23A‧‧‧夾持部
    23B‧‧‧偏壓構件
    23C‧‧‧導管
    23G‧‧‧夾持機構
    23L‧‧‧槓桿構件
    23P‧‧‧旋轉板
    23S‧‧‧旋轉軸
    23T‧‧‧旋轉軸
    24‧‧‧刷頭
    24A‧‧‧臂部
    24B‧‧‧開口
    24C‧‧‧導管
    40‧‧‧導引腳
    40I‧‧‧側面
    41‧‧‧昇降機構
    42‧‧‧臂體
    43‧‧‧推桿構件
    51‧‧‧晶圓支持部
    51'‧‧‧晶圓支持部
    51A‧‧‧頂面平坦部
    51B‧‧‧傾斜面
    52‧‧‧導引腳
    52'‧‧‧導引腳
    52B‧‧‧導引傾斜面
    52I‧‧‧側面
    100‧‧‧基板處理裝置
    500‧‧‧晶圓支持部
    S1‧‧‧載具站
    S2‧‧‧搬入搬出站
    S3‧‧‧液體處理站
    C‧‧‧晶圓載具
    C1‧‧‧缺口部
    C2‧‧‧缺口部
    G‧‧‧溝部
    M‧‧‧馬達
    W‧‧‧晶圓
    X‧‧‧方向
    Y‧‧‧方向
    圖1係顯示組裝有本發明實施形態之液體處理裝置的基板處理裝置之概略俯視圖。
    圖2係顯示本發明實施形態之液體處理裝置之概略側視圖。
    圖3係顯示圖2之液體處理裝置之概略俯視圖。
    圖4(a)(b)係用以說明圖2之液體處理裝置之晶圓支持部中的旋轉板之說明圖。
    圖5係顯示本發明另一實施形態之液體處理裝置之概略側視圖。
    圖6係顯示圖5之液體處理裝置之概略俯視圖。
    圖7係顯示圖5之液體處理裝置的晶圓支持部中的旋轉板之立體圖。
    圖8係顯示圖4之旋轉板之局部剖面圖。
    圖9(a)(b)係顯示圖5之液體處理裝置的晶圓支持部所支持的晶圓之概略剖面圖。
    圖10(a)(b)係說明圖5之液體處理裝置的效果之說明圖。
    圖11(a)(b)係說明圖5之液體處理裝置的另一效果之說明圖。
    圖12係顯示圖5之液體處理裝置的晶圓支持部之變形例的圖。
    以下，一邊參照所附圖式，一邊說明本發明之非限定的例示實施形態。於所附的所有圖式中，對於相同或對應之構件或零件，標註相同或對應之參考符號，並省略重複之說明。又，圖式之目的不在於顯示構件或構件間的相對比例，因此其具體之尺寸，應參酌以下之非限定實施形態，而由所屬技術領域中具有通常知識者加以決定。
    首先，參考圖1，說明包含本發明實施形態之液體處理裝置的基板處理裝置。圖1係顯示本發明實施形態之基板處理裝置的概略俯視圖。如圖所示，基板處理裝置100具備：載具站S1，載置有收納複數晶圓W的複數(於圖示之例為4個)晶圓載具C；搬入搬出站S2，在載具站S1及後述之液體處理站S3之間移交晶圓W；以及液體處理站S3，配置有本發明之實施形態的液體處理裝置1。
    搬入搬出站S2具有搬送機構11，其自晶圓載具C搬出晶圓W並載置於載置台13，又，舉起載置台13之晶圓W並搬入晶圓載具C。搬送機構11，具有保持晶圓W之保持臂部11a。搬送機構11，可以沿著於晶圓載具C之排列方向(圖中之X方向)上平行延伸之導軌12移動。又，搬送機構11，可以使保持臂部11a在垂直於X方向之方向(圖中之Y方向)及上下方向移動，並且可以使保持臂部11a在水平面內旋轉。
    液體處理站S3具有：搬送室16，在Y方向上延伸；反轉機構16a，配置於搬送室16內之搬入搬出站S2側；以及複數個液體處理裝置1，配置於搬送室16之兩側。又，搬送室16設有搬送機構14，搬送機構14具有保持晶圓W之保持臂部14a。搬送機構14，可以沿著設於搬送室16且在Y方向上延伸的導軌15移動。又，搬送機構14，可以在X方向上移動保持臂部14a，並使其在水平面內旋轉。搬送機構14在搬入搬出站S2的移交載置台13、反轉機構16a、以及各基板處理單元1之間搬送晶圓W。反轉機構16a，將搬送機構14所搬入的晶圓W上下反轉。晶圓W，在載具站S1的晶圓載具C內，係以電路形成面朝上(正面型(face up))而收納，並在維持電路形成面朝上的狀態下，從搬送機構11，經由載置台13，再藉由搬送機構14搬送。但是，藉由反轉機構16a，將晶圓W上下反轉，使電路形成面變成朝下(倒裝型(face down))。之後，晶圓W維持在電路形成面朝下的狀態，而由搬送機構14從反轉機構16a取出，藉由搬送機構14而搬送至液體處理裝置1。
    又，在基板處理裝置100，設有控制各種零件及構件的控制部17，基板處理裝置100及液體處理裝置1在控制部17之控制下動作，實施例如後述之液體處理裝置的控制方法。
    在具備上述結構的基板處理裝置100中，搬送機構11從載置於載具站S1之晶圓載具C取出晶圓W，藉由搬送機構11而載置於載置台13。載置台13上的晶圓W，則藉由液體處理站S3內的搬送機構14，搬入反轉機構16a，在此受到上下反轉，再度由搬送機構14搬入至液體處理裝置1。在液體處理裝置1，晶圓W之頂面(與電路形成面相反側的面)由指定之洗淨液加以洗淨，例如以純水將洗淨液沖走，乾燥晶圓W之頂面。當晶圓W頂面乾燥後，晶圓W以與搬入時相反之路徑(步驟)而搬回晶圓載具C。又，在洗淨一片晶圓W之當中，其他晶圓W依序搬送往其他液體處理裝置1，進行洗淨。
    接著，一邊參考圖2到圖4，一邊說明本發明之實施形態的液體處理裝置1。如圖所示，液體處理裝置1，具備：殼體21，幾近方形；杯體部22，設於殼體21內之幾近中央部，於頂面有開口，略呈圓筒形狀；晶圓保持旋轉部23，配置於杯體部22之內側，可以保持晶圓W並且可以加以旋轉；以及刷頭24，對保持在晶圓保持旋轉部23之晶圓W供給液體，並且與晶圓W之頂面接觸而洗淨晶圓W之頂面。
    在殼體21，形成有搬送口21a，藉由搬送機構14之保持臂部14a(圖1)而將晶圓W搬入殼體21或自殼體21搬出。於搬送口21a，設有未圖示之閘門，於搬入搬出時閘門會開啟，而於處理時閘門會關上，以封閉搬送口21a。
    杯體部22，藉由未圖示之昇降機構，而可以在殼體21內，於圖2中虛線所示之上方位置、以及實線所示之下方位置之間，上下移動。於搬入搬出晶圓W時，藉由杯體部22位處下方位置，而不會干擾晶圓W之搬入搬出；於處理晶圓W時，藉由杯體部22位處上方位置，而承接對晶圓W所供給之液體，並由未圖示之排液機構排出液體。
    參見圖2，晶圓保持旋轉部23具備：旋轉軸23S，連接於配置在殼體21下方之馬達M並且旋轉；以及旋轉板23P，以底面之約略中央部安裝於旋轉軸23S。
    於旋轉軸23S，形成有貫通其中央部的導管23C。從導管23C之下端，可以係由例如氮氣供給源供給氮(N2)氣。如後所述，在晶圓保持旋轉部23之旋轉板23P，與晶圓保持旋轉部23所保持的晶圓W之間，形成有空間；經過了導管23C的N2氣體，從導管23C之上端流出至此空間，朝向外周流動。晶圓保持旋轉部23乃至晶圓W一旦旋轉，旋轉板23P與晶圓W之間的空間，相較於晶圓W上方之空間，會成為負壓。如此一來，晶圓W之中心部會撓曲，晶圓W頂面之平坦性會惡化，液體處理之均一性也會有惡化之虞。然而，由於有對該空間供給N2氣體，而可以抑制晶圓W之中心部的撓曲。又，由於係由旋轉板23P與晶圓W之間的空間吹出N2氣體，因此對於供給至晶圓W頂面的液體流竄到底面而附著的情形，可得減少之效果。
    刷頭24係由臂部24A支持，該臂部24A可在水平面內旋動，並可上下移動。在臂部24A內，形成有導管24C，對晶圓W供給之液體就在該導管24C內流動。於臂部24A旋動下降，刷頭24與晶圓W之頂面接觸的同時(或稍早)，來自指定之液體供給源的液體(例如去離子水)，於導管24C內流動，從設於刷頭24根基端之開口24B供給至晶圓W的頂面。藉此，由於刷頭24與晶圓W之頂面接觸，故在洗淨晶圓W之頂面的同時，刷頭24所去除下來的異物或殘留物等可以藉由液體沖走。刷頭24，例如可藉由將複數之塑膠線綑成圓柱狀來構成。塑膠製的線，例如可由：PP(polypropylene，聚丙烯)、PVC(polyvinyl chloride，聚氯乙烯)、胺甲酸乙酯、尼龍製作。
    參考圖3，旋轉板23P具備圓板形狀，其所具備之外徑，比杯體部22之內徑小，比晶圓W之外徑大。又，如圖4(a)所示，旋轉板23P具有：晶圓支持部500，其具有沿著外周緣配置之圓環形狀；3個導引腳40，設於晶圓支持部500上，以幾近120°之角度間隔而彼此分離；夾持部23A，推抵著晶圓W的邊緣。導引腳40，藉由朝向旋轉板23P之中心的側面40I(圖4(b))而導引晶圓W的周緣，藉由晶圓支持部500而將晶圓W支持在旋轉板23P上之適切位置上。又，導引腳40所具備的高度，係導引腳40之頂面位於比晶圓支持部500所支持之晶圓W的頂面還要高的位置。由導引腳40所導引，且由晶圓支持部500所支持之晶圓W，受到夾持部23A之夾持。藉此，晶圓W相對於旋轉板23P不會偏移，而可藉由旋轉板23P旋轉。
    接著，一邊參考圖5到圖9，一邊說明本發明之另一實施形態的液體處理裝置1。於本實施形態之液體處理裝置1，具有與上述實施形態之晶圓保持旋轉部23相異之晶圓保持旋轉部23。以下，主要針對本實施形態之液體處理裝置1與前述實施形態之液體處理裝置1的相異點，加以說明；至於相同結構之部分，則省略說明。
    於本實施形態，晶圓保持旋轉部23，具有3個(圖5中僅繪示2個)夾持機構23G，該等夾持機構23G，安裝於旋轉板23P的下方周緣，其藉由推抵晶圓W之邊緣而夾持晶圓W。如圖6所示，前述之3個夾持機構23G彼此間，以例如120°之角度，間隔配置。
    再度參看圖5，各夾持機構23G，具有：槓桿構件23L，其藉由旋轉軸23T而可以轉動；以及夾持部23A，其藉由槓桿構件23L往箭頭Y所示方向轉動，而可以接觸晶圓W之邊緣。於各槓桿構件23L之遠端部下方，設有可以使槓桿構件23L之遠端部上下移動之推桿構件43。推桿構件43安裝於臂體42，臂體42藉由昇降機構41(圖5)而上下移動。關於夾持機構23G之動作，容後詳述。
    又，本實施形態之旋轉板23P具有大致呈圓形的頂面形狀，其周圍形成有缺口部C1及C2。缺口部C1及C2，以幾近60°之角度間隔而交互配置。缺口部C1，使得安裝於旋轉板23P下方之夾持機構23G之夾持部23A，可以突出至旋轉板23P上方。又，缺口部C2，係對應於設置在搬送機構14之保持臂部14a(圖1)的晶圓保持爪(未圖示)而設，並使晶圓保持爪可以上下穿越旋轉板23P。
    又，參考圖7，於旋轉板23P之頂面，設置有沿著周緣延伸的複數個晶圓支持部51。此種晶圓支持部51，可以係配合旋轉板23P的缺口部C1及C2，將前述實施形態的晶圓支持部500切割出缺口而形成。此處省略圖示，晶圓支持部51之兩端，以例如螺絲等安裝於旋轉板23P。藉由以兩端加以固定，可以提高晶圓支持部51的安裝精度。又，各晶圓支持部51，如圖8所示，具有：頂面平坦部51A，以及朝向旋轉板23P之中央傾斜的傾斜面51B。傾斜面51B之外周緣(頂面平坦部51A與傾斜面51B間的境界)，沿著比晶圓W之直徑還大的第1圓之圓周而設置，傾斜面51B的內周緣，以與第1圓同心之圓，沿著比晶圓W之直徑還小的第2圓之圓周而設置。因此，將晶圓W載置於旋轉板23P時，晶圓W，藉由其邊緣與傾斜面51B接觸而受到支持(請參考圖8)。此時，晶圓W，係與旋轉板23P的頂面分開。
    又，於晶圓支持部51的頂面平坦部51A，設有導引腳52。導引腳52的側面52I，以其下端與晶圓支持部51之傾斜面51B的外周緣相接。又，導引腳52，形成有朝向旋轉板23P之中央而傾斜的導引傾斜面52B。將晶圓W從保持臂部14a(圖1)載置至晶圓支持部51時，晶圓W的邊緣一旦與導引傾斜面52B接觸，就會受到導引而使晶圓W的邊緣順著導引傾斜面52B滑落，帶動晶圓W之移動，藉此晶圓W得以定位，而由晶圓支持部51所支持。
    另外，導引腳52所具備之高度，係導引腳52之頂面，位處在比複數晶圓支持部51所支持之晶圓W的頂面還要高的位置。
    又，如圖7所示，設於晶圓支持部51的導引腳52，與夾持機構23G的夾持部23A，在幾近中央部，形成有沿著與旋轉板23之周緣交叉的方向延伸的溝部G。當液體供給至晶圓支持部51B所支持之晶圓W的頂面時，該液體會經過溝部G，而可以向晶圓W之外部排出。因此，可減少液體滯留在導引腳52或夾持部23A之部分的情形，可以減少因液體滯留所可能產生之水痕發生。
    接著，一邊參考圖9，一邊說明夾持機構23G的功能。圖9係沿著圖7之I一I線的局部剖面圖。又，圖9(a)顯示出例如將晶圓W配置於旋轉板23P上，緊接在那之後的晶圓W與夾持機構23G。如圖所示，藉由圖7(a)中虛線所示之晶圓支持部51的傾斜面51B，以支持晶圓W的邊緣。此時，藉由昇降機構41(圖5)，臂體42往上方移動，推桿構件43將夾持機構23G之槓桿構件23L之遠端往上方推上去。因此，設置於槓桿構件23L之另一端(以旋轉軸23T所支持之端部)的夾持部23A，往外部傾斜。在此，如圖9(b)所示，臂體42一往下方移動，槓桿構件23L藉由設於旋轉板23P之底面的偏壓構件23B以及自己本身的重量，而以旋轉軸23T為中心，順時針旋轉。夾持部23A受其帶動，推抵晶圓W之邊緣。藉由3個夾持機構23G的夾持部23A推抵邊緣，以夾持晶圓W。在此狀態下，馬達M(圖5)一旦旋轉，旋轉板23P，以及安裝在其上的夾持機構23G就會旋轉，而在旋轉板23P上由晶圓支持部51B支持之下，夾持機構23G所夾持的晶圓W就會旋轉。
    接著，針對本發明之實施形態的液體處理裝置1的動作(液體處理裝置之控制方法)，適度參考前文中所參考過的圖式，加以說明。又，於以下，係以參考圖5到圖9而說明過的液體處理裝置1為例進行說明。又，如上所述，晶圓W係藉由液體處理站S3的反轉機構16a而上下反轉，並在晶圓W之電路形成面朝下的狀態下，搬入液體處理裝置1。於以下的說明中，提到晶圓W之頂面時，係意指與晶圓W之電路形成面相反側的面。
    首先，杯體部22下降到圖5中實線所示之下方位置，又，藉由昇降機構41而使臂體42及推桿構件43往上方移動，將夾持機構23的槓桿構件23L推上去。藉此，夾持部23A朝外側打開，確保載置晶圓W的空間。
    接著，殼體21之搬送口21a會開啟，藉由搬送機構14之保持臂部14a，將晶圓W從搬送口21a搬入殼體21內，在晶圓保持旋轉部23上方停止。接著，保持臂部14a會下降，晶圓W就從保持臂部14a移交至晶圓保持旋轉部23。此時，晶圓W藉由導引腳52之導引，而由設於旋轉板23P周緣之頂面的晶圓支持部51所支持。具體而言，藉由使晶圓W的邊緣橫跨晶圓支持部51的所有傾斜面51B(圖7，圖8)而與傾斜面51B接觸，以支持晶圓W。
    保持臂部14a從搬送口21a退出到外部後，透過昇降機構41(圖5)而使臂體42及推桿構件43移動至下方，藉此，槓桿構件23L會轉動，其結果，夾持部23A會抵住晶圓W的邊緣。藉此，在由晶圓支持部51所支持的狀態下，晶圓W會由夾持機構23G所夾持。一旦杯體部22位於圖5所示之上方位置，就會透過馬達M而開始旋轉軸23S及旋轉板23P之旋轉。藉此，由晶圓支持部51所支持並由夾持機構23所夾持的晶圓W也會旋轉。晶圓W之旋轉速度，例如可以係每分鐘旋轉(rpm)500到2000rpm。此時，從旋轉軸23S內所形成的導管23C，會對晶圓W與旋轉板23P之間的空間供給例如N2氣體。
    接著，刷頭24之臂部24A旋動，刷頭24移動到圖5中虛線所示位置，朝向晶圓W之頂面下降。刷頭24的前端與晶圓W之頂面接觸之同時(或就在接觸之前)，從刷頭24之開口部24B供給例如DIW(去離子水)。該DIW，藉由晶圓W之旋轉，而在晶圓W之頂面上，朝向晶圓W之邊緣擴散，從晶圓W之邊緣流出至外部。
    之後，刷頭24，藉由臂部24A之旋動，朝向晶圓W之邊緣移動。藉由晶圓W之旋轉與刷頭24之移動，刷頭24接觸晶圓W之整面，同時藉由刷頭24去除之異物或雜質，會由DIW沖走。
    刷頭24，從晶圓W的邊緣往外移動後，就停止DIW之供給，同時乾燥晶圓W的頂面。之後，藉由與搬入晶圓W時之步驟相反的步驟，而將晶圓W搬出至殼體21的外部。
    如以上之說明，藉由本發明之實施形態的液體處理裝置1，當晶圓W從搬送臂14a(圖1)移交到晶圓保持旋轉部23的時候，晶圓W係由導引腳52所導引，並以晶圓W的邊緣與旋轉板23P上之晶圓支持部51的傾斜面51B接觸的方式，受到支持。當旋轉板23P旋轉，刷頭24下降，同時液體從刷頭24的開口供給到晶圓W上，液體會在晶圓W的頂面朝外部擴散而流動。此時，由於晶圓W的邊緣與晶圓支持部51之傾斜面51B接觸，因此可以抑制液體附著至晶圓W底面的情形。
    例如如圖10(a)所示，當係沿著旋轉板23P之周向的晶圓支持部51'及導引腳52'的長度幾乎相等的情形(晶圓支持部51'並非在導引腳52'之兩側方向延伸之情形)，在晶圓W頂面流動的液體，會衝撞導引腳52之側面52I並飛散，而從旋轉板23P與晶圓W之間隙流竄到晶圓W的底面，附著於晶圓W之底面(請參考圖中箭頭A')。一旦晶圓W之底面附著了液體，液體中的異物會有殘存在晶圓W底面之虞。晶圓W底面的異物，有時會導致如下情形：在接下來晶圓W所搬送到的半導體製造裝置污染其晶圓支持部，或是在晶圓載具內污染相鄰的其他晶圓之表面。另一方面，在晶圓W之頂面，由於存在有於頂面流動之液體的液膜，所以液體中的異物，不易殘存在晶圓W的頂面。
    然而，在本發明的實施形態，晶圓支持部51比導引腳52還長，就連於導引腳52之側方，晶圓W的邊緣亦與晶圓支持部51之傾斜面51B接觸。再者，晶圓支持部51，設置成與旋轉板23P之間不會形成間隙。因此，如圖10(b)所示，可以抑制衝撞導引腳52側面52I而飛散的液體流竄到晶圓W之底面並附著的情形。亦即，若依據本發明之實施形態，可以降低前述污染。又，藉由在晶圓支持部51的傾斜面51B之外周具備頂面平坦部51A，在晶圓W頂面流動的液體，其流動可以毫不失序地流出至晶圓W外部。又，藉由使晶圓支持部51的長度較長，可以使導管23C對晶圓W與旋轉板23P之間供給之N2從空間吹出的部分變窄，得以加快N2的流速。藉此，即使是晶圓W之邊緣未與傾斜面51B接觸的部分，也可以防止液體流竄到晶圓W的底面並附著的情形。
    又，就液體處理裝置1之效果而言，已在前文中以參考圖5到圖9所說明之液體處理裝置1為例進行過說明，但在參考圖2到圖4而說明之液體處理裝置1中也一樣，液體會在晶圓W之頂面流動，抑制衝撞到導引部40而附著於晶圓W背面的情形，因此也可以得到相同的效果。
    又，於參考圖5到圖9而說明之液體處理裝置1，藉由傾斜面51B而在較大的範圍支持著晶圓W的邊緣，因此可以減少晶圓W的翹曲。將用以確認晶圓W之翹曲減少而進行之實驗的結果，示於圖11。圖11(a)係用以比較者，所示內容係將圖10(a)所示之晶圓支持部51'及導引腳52'，以約120°的角度間隔設置3個時，以刷頭24洗淨晶圓W之頂面後的異物分佈圖；圖11(b)所示內容，係本發明之實施形態的液體處理裝置1(從圖5到圖9)之刷頭24洗淨晶圓W頂面後的異物分佈圖。
    由圖11(a)可知，雖然在略呈三葉形狀的範圍內，異物較少，但在該範圍之外側，卻有大量的異物。推測此種分佈，係由於下述原因而產生：亦即，晶圓W之邊緣中，由短的晶圓支持部所支持的部分，晶圓W幾乎不會翹曲，因此刷頭24可充分按壓以減少異物，然而相對於此，於該部分之間的區域，晶圓W會有較大的翹曲，因此刷頭24對於旋轉之晶圓W的頂面之按壓力，在全周面上並非固定，無法充分減少異物。
    另一方面，於本發明之實施形態的液體處理裝置1，如圖11(b)所示，於晶圓W的頂面全體，異物都同樣地少。推測其原因，是由於晶圓W之邊緣由傾斜面51B支持著較大的範圍，因此晶圓W的平坦性良好之故。更進一步地，藉由傾斜面51B而在較大的範圍支持著晶圓W的邊緣，因此刷頭24之按壓力所對晶圓W施加的力量可以得到分散，而得以抑制在晶圓W的邊緣產生損傷的情形。
    又，在參考圖2到圖4所說明之液體處理裝置1中，晶圓W也係沿著周緣而在較大的範圍受到支持，因此亦可得與上述相同之減少異物的效果。
    以上，參酌實施形態而對本發明進行說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可參照所附之專利申請範圍，進行各種變形或變更。
    例如，在上述實施形態中，係針對於液體處理裝置1設有刷頭24，並以刷頭24洗淨晶圓W之頂面的情形加以說明，但並不限定於使用刷頭24之洗淨。例如，亦可設置清淨氣體用的導管、以及去離子水(DIW)用的導管，而在液體處理裝置1設置藉由清淨氣體來噴射DIW噴霧的二流體噴嘴，藉此以取代刷頭24，處理晶圓W之頂面。當然，使用僅供給液體之液體供給噴嘴亦無妨。
    再者，亦可使用裝設有超音波振盪子的液體供給噴嘴，以取代刷頭24或二流體噴嘴等(該超音波振盪子係裝設於噴吐液體至晶圓W頂面之噴吐部)。若使用該液體供給噴嘴，藉由超音波振盪子所發出之例如15~400kHz的千赫頻帶、或是1.5MHz或3.0MHz的兆赫頻帶之高頻率，而在液體中有微細之氣泡產生、破裂，促進液體分子之振盪，因此可以提高液體處理效率、洗淨效率。
    又，於上述之實施形態，對於晶圓W，係藉由旋轉板23P上的晶圓支持部51，以晶圓W中的電路形成面朝下(倒裝型)的方式加以支持，但於本發明之實施形態的液體處理裝置1，亦可係將電路形成面朝上(正面型)的方式保持晶圓W，例如使用二流體噴嘴處理電路形成面。即使在此情形，也可以避免液體附著至晶圓W之底面，因此可以減少底面之異物。
    於上述之實施形態，在旋轉板23P設有缺口部C2，但缺口部C2之設置僅係用以對應在液體處理裝置1的殼體21內搬送晶圓W之搬送臂部14a的晶圓保持爪，並非不可或缺之結構。例如，在搬送臂部14a與晶圓保持旋轉部23之間移交晶圓W時，若是使用貫穿旋轉板23P而上下移動之3個昇降銷之情形，則搬送臂部14a不需要晶圓保持爪，因此，也就不需要在旋轉板23P形成缺口部C2。
    又，晶圓支持部51的形狀，並不限定於圖示者，亦可作種種變形。如圖12所示，例如配置在旋轉板23P上的晶圓支持部51，亦可沿著旋轉板23P之旋轉方向，在前端側具備銳角形狀。如此一來，可以預防隨著旋轉板23P之旋轉而引起之晶圓支持部51造成的亂流，因此可以使晶圓W頂面的液體流向外部而不飛散。
    又，晶圓支持部51，以及夾持機構23G的夾持部23A之間的間隔，能設置得越窄越好。如此一來，液體在晶圓W的頂面流動，衝撞夾持部23A，而從晶圓支持部51與夾持部23A之間鑽進去，附著在晶圓W的底面的情形，就可以減少。因此，在晶圓W底面邊緣附近產生異物的情形，可更有效地減少。又，由於在晶圓W之頂面，形成有液體形成的液膜，所以異物幾乎不會殘存在晶圓W的頂面上。
    又，於上述之實施形態，係以夾持機構23G之夾持部23A推抵晶圓W之邊緣以夾持晶圓W，但若係一邊以低速(例如10rpm到50rpm之程度)旋轉晶圓W、一邊對晶圓W之頂面供給DIW以洗淨頂面等情形，則不需要夾持機構23G之夾持，因此，液體處理裝置1亦可不設置夾持機構23G。
    又，於上述之實施形態，雖設有6個晶圓支持部51，然而並不限定於此，亦可設置所需數量之晶圓支持部51。又，亦可在旋轉板23P上相鄰之2個晶圓支持部51之間，沿著旋轉板23P周緣(包含缺口部C2)設置隆起部。在此情形，隆起部之高度，較佳係小於晶圓支持部51所支持之晶圓W與旋轉板23P之間的間隔。藉此，隆起部與晶圓W之間的間隔，會比晶圓W與旋轉板23P之間的間隔還窄，所以在晶圓W與旋轉板23P之間的空間流動之N2氣體，能更加高速地吹出。因此，液體在2個晶圓支持部51之間的晶圓W底面附著的情形，可以減少。
    又，於上述之實施形態，係以對半導體晶圓進行液體處理的情形為例，進行說明，但在對FPD(平面顯示器)用之玻璃基板進行液體處理之情形，亦可適用本發明。
    1‧‧‧液體處理裝置
    21‧‧‧殼體
    21a‧‧‧搬送口
    22‧‧‧杯體部
    23A‧‧‧夾持部
    23P‧‧‧旋轉板
    23S‧‧‧旋轉軸
    42‧‧‧臂體
    43‧‧‧推桿構件
    51‧‧‧晶圓支持部
    52‧‧‧導引腳
    C1‧‧‧缺口部
    C2‧‧‧缺口部
    W‧‧‧晶圓
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種液體處理裝置，包括：旋轉板，藉由旋轉驅動部加以旋轉；基板支持部，沿著該旋轉板之周緣設置，支持基板的周緣；導引部，設於該基板支持部的上端，將該基板導引至該基板支持部；以及供給部，對於由該基板支持部支持該周緣之該基板，從上方供給液體；該導引部，沿著該旋轉板的周向至少設置3個以上，且相較於藉由該基板支持部支持該周緣之該基板的表面，具有更高的高度。
    [2] 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該基板支持部之沿著該旋轉板周向的長度，比該導引部之沿著該旋轉板周向的長度更長。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板支持部，與該旋轉板之間不形成間隙。
    [4] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板支持部，具有朝向該旋轉板之中心的方向傾斜之傾斜面。
    [5] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板支持部，於該傾斜面之外周具有頂面平坦部。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該導引部，具有朝向該旋轉板之中心的方向傾斜之導引面。
    [7] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該旋轉板及該基板支持部具有第1缺口部，該第1缺口部所設置之位置，係對應於在與該基板支持部之間用來接收或遞交該基板之搬送臂所具備之保持該基板用之基板保持爪，以供該晶圓保持爪上下穿越。
    [8] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板支持部，具備第2缺口部，其設有基板夾持機構，該基板夾持機構包含推抵部，從側向抵住該基板支持部所支持之該基板的周緣。
    [9] 如申請專利範圍第7項之液體處理裝置，其中，與該第1缺口部相鄰之該基板支持部，其在該旋轉板之旋轉方向上游側的端部具有銳角形狀。
    [10] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，更具備旋轉軸部，其沿著該旋轉板之旋轉中心延伸並連接於該旋轉驅動部，以將該旋轉驅動部之旋轉力傳達至該旋轉板；於該旋轉軸部設有供給管，以將氣體供給至該旋轉板與由該基板支持部支持該周緣的該基板之間。
    [11] 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該供給部包括接觸於該基板之頂面用以洗淨該頂面的洗淨構件。
    [12] 一種液體處理裝置之控制方法，該液體處理裝置包括：旋轉板，藉由旋轉驅動部而旋轉；基板支持部，沿著該旋轉板之周緣設置，用來支持基板的周緣；導引部，設於該基板支持部的上端，將該基板導引至該基板支持部；以及供給部，對於由該基板支持部支持該周緣之該基板，從上方供給液體；該導引部，沿著該旋轉板的周向至少設置3個以上，且相較於藉由該基板支持部支持該周緣之該基板的表面，具有更高的高度；該液體處理裝置之控制方法，包含：一邊以該導引部導引該基板，一邊藉由以該基板支持部之該傾斜面支持該基板之周緣，使該基板支持部支持該基板之步驟；旋轉該基板之步驟；以及對該基板供給液體之步驟。
    [13] 如申請專利範圍第12項之液體處理裝置之控制方法，其中，前述以該基板支持部支持該基板之步驟，包含使基板保持爪穿越缺口部之步驟，該缺口部設置於該旋轉板及該基板支持部，其設置係對應於在與該基板支持部之間接收或遞交該基板之搬送臂所具備之保持該基板的該基板保持爪。
    [14] 如申請專利範圍第12或13項之液體處理裝置之控制方法，其中，前述以該基板支持部支持該基板之步驟，包含藉由從側向推抵該基板支持部所支持之該基板的周緣以夾持該基板之步驟。
    [15] 如申請專利範圍第12或13項之液體處理裝置之控制方法，其中，前述供給液體之步驟，包含使洗淨該基板頂面之洗淨構件，接觸該基板支持部所支持之該基板之該頂面的步驟。
    [16] 如申請專利範圍第12或13項之液體處理裝置之控制方法，其中，更包含：將惰性氣體供給至由該基板支持部所支持之該基板與該旋轉板之間的空間之步驟。
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